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NTUMSE

Microscopy, Microanalysis, & Mechanical testing Lab

物理氣相沉積

Physical vapor deposition (PVD)

中熵合金薄膜

medium-entropy alloy thin film (MEATF)

高熵合金研究起源於2004年清華大學葉均蔚院士的文章,至今已超過22年,現今仍為世界上不論是學術界或是工業界相當熱門的題目。除了以熔煉方法製備塊材的研究之外,我們團隊利用磁控濺鍍(magnetron sputtering)方法沉積中熵合金薄膜於p-type (100) 矽基板材上。如下圖所表示,我們的機台配備有三種不同的共鍍槍,分別為一隻直流電(DC)以及兩隻感應交流電(RF)。靶材直徑為 3 inch,原始厚度為 6 mm。工作距離 (working distance) 為 10至15公分。為了確保磁控濺鍍品質,矽基板會先以丙酮、純酒精以及去離子水洗淨,並以純氮氣吹乾。真空度起初會以油式機械幫浦抽至約 10^-1 bar,接著以渦輪分子幫浦抽真空至10^-4 Pa。在此高真空的環境之下,我們流入高純度氬氣,20 sccm,點氬氣電漿。在正式鍍膜之前會有約半小時的預濺鍍,以除去試片表面髒汙。鍍膜的真空鍍會維持在約 0.45 Pa左右。為了要得到均勻的組織,如下圖所示,基板會以 30 rpm的轉速進行旋轉。


Image

Shao-Pu Tsai, Yu-Chuan Lin, Jhen-De You, Chung-Chih Tsai, Chun-Hway Hsueh, "Investigating Nb/V co-doping effects on microstructures and mechanical properties of CoCrNi medium entropy alloy films", Journal of Alloys and Compounds 1050 (2026) 185612.